[发明专利]一种可抗紫外线擦除的全息存储材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201710333043.5 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN106981295B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 付申成;刘双燕;张昕彤;刘益春 | 申请（专利权）人： | 东北师范大学 |
| 主分类号： | G11B7/2433 | 分类号： | G11B7/2433;G11B7/2437 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 130024 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可抗紫外线擦除的全息存储材料及其制备方法。该包括如下步骤：(1)避光条件下，将二氧化钛薄膜浸渍于磷钨酸水溶液中；(2)紫外光照射下，将经步骤(1)处理后的所述二氧化钛薄膜浸渍于硝酸银溶液中，得到磷钨酸修饰的银/二氧化钛薄膜，即为所述全息存储材料。经磷钨酸修饰后的银/二氧化钛薄膜材料，在紫外光辐照下具有明显的抗紫外擦除的性能，同时，多酸的存在使体系内构建了多种电子传输通道，使写入效率明显提高，并且在多频光的干扰下，具有较高的蓝光全息烧孔、存储性能。因此，磷钨酸可拥有改善现有的银/二氧化钛薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外线 擦除 全息 存储 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可抗紫外线擦除的全息存储材料的制备方法，包括如下步骤：(1)避光条件下，将二氧化钛薄膜浸渍于磷钨酸水溶液中；(2)紫外光照射下，将经步骤(1)处理后的所述二氧化钛薄膜浸渍于硝酸银溶液中，得到磷钨酸修饰的银/二氧化钛薄膜，即为所述全息存储材料。
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