[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括相邻第一区域和第二区域，第一区域用于形成第一器件，第二区域用于形成第二器件，第一器件和第二器件的掺杂类型不同；在基底上形成第二区域功能层；在第二区域功能层上依次形成第一底部抗反射涂层和第二底部抗反射涂层，第二底部抗反射涂层致密度小于第一底部抗反射涂层；在第二区域第二底部抗反射涂层上形成光刻胶层；以光刻胶层为掩膜刻蚀第一区域的第二底部抗反射涂层和第一底部抗反射涂层；以第二区域的光刻胶层为掩膜刻蚀第一区域的第二区域功能层。相比仅采用第一底部抗反射涂层的方案，本发明缩短了刻蚀工艺的时间，降低第二区域第二底部抗反射涂层和第一底部抗反射涂层的损耗程度。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括相邻的第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成第一器件，所述第二区域用于形成第二器件，且所述第一器件和第二器件的掺杂类型不同；在所述基底上形成第二区域功能层；在所述第二区域功能层上依次形成第一底部抗反射涂层和第二底部抗反射涂层，所述第二底部抗反射涂层的致密度小于所述第一底部抗反射涂层的致密度；在所述第二区域的第二底部抗反射涂层上形成光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀去除所述第一区域的第二底部抗反射涂层和第一底部抗反射涂层；以第二区域的所述光刻胶层为掩膜，刻蚀去除所述第一区域的第二区域功能层。