[发明专利]一种TFT阵列基板及其制作方法

摘要

本发明公开了一种TFT阵列基板及其制作方法，其中TFT阵列基板的制作方法包括使用遮光金属在基板上形成底栅电极，进而在形成有底栅电极的基板上沉积缓冲层，并对该缓冲层进行图案化处理，使得对应于底栅电极上方的缓冲层被薄化，进一步在缓冲层上的薄化区域内形成与底栅电极相对设置的半导体图案。因此，本发明可通过减薄缓冲层对应于底栅电极区域的厚度，提高底栅电极对整个阵列基板性能的控制能力。

主权项

一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一基板；在所述基板上沉积遮光金属层，对所述遮光金属层进行图案化处理，以形成底栅电极；在所述底栅电极及所述基板上沉积缓冲层，对所述缓冲层进行图案化处理，以使得所述底栅电极上方的所述缓冲层被薄化；在所述缓冲层上沉积半导体层，对所述半导体层进行图案化处理，以在所述缓冲层的薄化区域内形成与所述底栅电极相对设置的半导体图案。