[发明专利]一种基于侧向场激励剪切波模式的FBAR微压力传感器在审
| 申请号： | 201710334788.3 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107192481A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 苏淑靖;马晓鑫;熊继军;谭秋林;耿子惠;吴永盛;韩文革;吕楠楠 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01L1/16 | 分类号： | G01L1/16 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257 | 代理人： | 李广 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明为一种基于侧向场激励剪切波模式的FBAR微压力传感器，涉及一种微压力传感器。包括硅衬底(1)、支撑层(2)、空气隙(3)、AlN压电薄膜(4)、双电极层(5)、接地层(6)、微压力敏感层(7)及微压力施加层(8)；所述硅衬底(1)上表面采用硅表面刻蚀工艺与所述AlN压电薄膜(4)间形成空气隙(3)，在所述硅衬底(1)上表面淀积一层支撑层(2)连接所述AlN压电薄膜(4)，所述AlN压电薄膜(4)上表面为双电极层(5)和所述接地层(6)，所述接地层(6)上表面淀积4个所述微压力敏感层(7)，所述微压力敏感层(7)上键合所述微压力施加层(8)。本发明具有机械强度高、体积小、谐振频率高、检测精度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 侧向 激励 剪切 模式 fbar 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种基于侧向场激励剪切波模式的FBAR微压力传感器，其特征在于，包括硅衬底(1)、支撑层(2)、空气隙(3)、AlN压电薄膜(4)、双电极层(5)、接地层(6)、微压力敏感层(7)、微压力施加层(8)；所述硅衬底(1)上表面采用硅表面刻蚀工艺与所述AlN压电薄膜(4)间形成空气隙(3)，在所述硅衬底(1)上表面淀积一层支撑层(2)连接所述AlN压电薄膜(4)，所述AlN压电薄膜(4)上表面为双电极层(5)和所述接地层(6)，所述接地层(6)上表面淀积4个所述微压力敏感层(7)，所述微压力敏感层(7)上键合有所述微压力施加层(8)。
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