[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，包括：在衬底上形成第以第一栅电极层、第二栅电极层、以及位于第一栅电极层和第二栅电极层上的一保护层和一冗余层；在所述衬底上形成一暴露出所述冗余层的遮蔽层；通过光刻工艺和蚀刻工艺，在第一栅电极层两侧的衬底中形成一沟槽，在此过程中，所述第一栅电极层和所述第二栅电极层上的冗余层均被去除或均被保留，使第一栅电极层和第二栅电极层上方的膜层总厚度一致；接着可直接通过刻蚀工艺，同时去除第一栅电极层和第二栅电极层上方的其他膜层，以暴露出所述第一栅电极层和第二栅电极层，而不需再利用光刻工艺暴露出的第一栅电极层和第二栅电极层，减少了一道光刻工序，有利于简化工艺流程并节省成本。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上定义有用于形成P型晶体管的第一区域和用于形成N型晶体管的第二区域，在所述第一区域上形成有一第一栅电极层，在所述第二区域上形成有第二栅电极层，在所述第一栅电极层和所述第二栅电极层上均依次形成有一保护层和一冗余层；在所述衬底上形成一遮蔽层，所述遮蔽层覆盖所述第一栅电极层两侧的衬底及所述第二栅电极层两侧的衬底，并暴露出所述冗余层；形成一掩膜层，所述掩膜层覆盖所述第二区域，并至少暴露出所述第一栅电极层上的冗余层及其两侧的部分遮蔽层；执行第一刻蚀工艺，依次刻蚀暴露出的遮蔽层和衬底，以在第一栅电极层两侧的衬底中形成一沟槽，在此过程中所述掩膜层被去除且所述第一栅电极层和所述第二栅电极层上的冗余层均被去除或均被保留；执行外延生长工艺，在所述沟槽中形成一外延层；以及，在形成有所述外延层之后，执行第二蚀刻工艺，去除剩余的遮蔽层以及所述第一栅电极层和所述第二栅电极层上的膜层，以暴露出所述第一栅电极层、所述第二栅电极层和所述衬底。