[发明专利]一种电极制作方法及阵列基板的制作方法在审

专利信息
申请号: 201710336009.3 申请日: 2017-05-12
公开(公告)号: CN107104044A 公开(公告)日: 2017-08-29
发明(设计)人: 宫奎;许徐飞 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L21/3213 分类号: H01L21/3213;H01L21/77;H01L27/12
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种电极制作方法及阵列基板的制作方法,涉及显示技术领域,解决了现有的刻蚀铜金属层过程中光刻胶掩膜层容易脱落,使得刻蚀形成的铜电极或铜电极线部分区域变细甚至断开,导致制作形成的薄膜晶体管的性能较差的技术问题。该电极制作方法包括在基板上依次形成铜金属层、第一难熔金属隔离层和光刻胶掩膜层;利用光刻胶掩膜层,进行湿法刻蚀,形成第一难熔金属电极图形;对光刻胶掩膜层进行软化处理,得到覆盖第一难熔金属电极图形的侧壁的抗刻蚀层;以抗刻蚀层作为掩膜,进行湿法刻蚀,形成铜电极图形;去除抗刻蚀层,形成目标电极。本发明提供的电极制作方法应用于制作电极。
搜索关键词: 一种 电极 制作方法 阵列
【主权项】:
一种电极制作方法,其特征在于,包括:在基板上形成铜金属层;在所述铜金属层上形成第一难熔金属隔离层;在所述第一难熔金属隔离层上形成与光刻胶掩膜层;利用所述光刻胶掩膜层,对所述第一难熔金属隔离层进行湿法刻蚀,形成第一难熔金属电极图形;对所述光刻胶掩膜层进行软化处理,得到覆盖所述第一难熔金属电极图形的侧壁的抗刻蚀层;以所述抗刻蚀层作为掩膜,对所述铜金属层进行湿法刻蚀,形成铜电极图形;去除所述抗刻蚀层,形成包括所述第一难熔金属电极图形和所述铜电极图形的目标电极。
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