[发明专利]用于钴的锰阻挡层和粘附层有效
| 申请号： | 201710337590.0 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN107424955B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 黎照健;罗郑硕;拉什纳·胡马雍;迈克尔·达内克;凯寒·阿比迪·阿施蒂尼 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于钴的锰阻挡层和粘附层。本发明提供了形成导电钴(Co)互连和Co特征的方法。所述方法包括在电介质上沉积含锰(Mn)的薄膜，随后在含Mn膜上沉积钴。含Mn膜可以沉积在诸如二氧化硅之类的含硅电介质上，并且退火以形成硅酸锰。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 阻挡 粘附 | ||
【主权项】：
一种方法，其包括：(a)提供具有包含特征开口的特征的衬底；(b)在所述特征中形成含锰衬里层；以及(c)在(b)之后，将所述衬底暴露于含钴前体以至少部分地用钴填充所述特征。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710337590.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件及其制造方法和电子装置
- 下一篇：柔性TFT基板的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
