[发明专利]扇出型晶圆级封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710338189.9 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN106981467A | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 吴政达;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;H01L25/18 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种扇出型晶圆级封装结构及其制备方法，所述扇出型晶圆级封装结构至少包括重新布线层；第一倒装芯片，键合于所述重新布线层的上表面；金属膏导电柱，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；第二倒装芯片，键合于所述金属膏导电柱的上表面；塑封层，位于所述重新布线层的上表面；焊球凸块，位于所述重新布线层的下表面。本发明的扇出型晶圆级封装结构中，使用金属膏导电柱替代现有技术中的金属导电柱，金属膏导电柱可以使用金属膏印刷工艺制备而得到，相较于现有技术中的电镀工艺制备金属导电柱具有成本低、制备工艺简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型晶圆级 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述扇出型晶圆级封装结构至少包括：重新布线层；第一倒装芯片，键合于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；金属膏导电柱，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；第二倒装芯片，键合于所述金属膏导电柱的上表面，且位于所述第一倒装芯片的上方，所述第二倒装芯片经由所述金属膏导电柱与所述重新布线层电连接；塑封层，位于所述重新布线层的上表面，且填满所述第一倒装芯片、所述金属膏导电柱、所述第二倒装芯片及所述重新布线层之间的间隙，并将所述第一倒装芯片、所述金属膏导电柱及所述第二倒装芯片封裹塑封；焊球凸块，位于所述重新布线层的下表面，且与所述重新布线层电连接。
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