[发明专利]一种IGBT模块的结温预测方法有效

专利信息
申请号: 201710338673.1 申请日: 2017-05-12
公开(公告)号: CN107025364B 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 王跃;周晖;王璋;尹诗媛;尹太元;段国朝 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 闵岳峰
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明一种IGBT模块的结温预测方法,包括:1)根据模块化多电平电路参数和短路前运行情况计算出直流双极短路时流过IGBT电流的表达式;2)根据IGBT数据手册拟合出导通损耗、开关能量与流过IGBT电流的关系式;3)根据IGBT的等效开关频率和等效占空比判断IGBT所处的开关状态;4)根据IGBT所处的开关状态,直流双极短路时流过IGBT电流的表达式,以及导通损耗、开关能量与流过IGBT电流的关系式计算出IGBT的损耗值P;5)根据IGBT的损耗值P和IGBT模块的4阶Foter传热模型计算出IGBT结温随时间分布值。本发明用于针对模块化多电平电路,通过计算预测出其不同运行条件下发生直流双极短路时的结温变化曲线。为主电路设计、保护设计以及散热回路设计提供参考,提高系统的稳定性。
搜索关键词: 一种 igbt 模块 预测 方法
【主权项】:
一种IGBT模块的结温预测方法,其特征在于,包括以下步骤:1)根据模块化多电平电路参数和短路前运行情况得出直流双极短路时流过IGBT电流的表达式;2)根据IGBT数据手册拟合出导通损耗、开关能量与流过IGBT电流的关系式;3)根据IGBT的等效开关频率和等效占空比判断IGBT所处的开关状态;4)根据IGBT所处的开关状态,直流双极短路时流过IGBT电流的表达式,以及导通损耗、开关能量与流过IGBT电流的关系式计算出IGBT的损耗值P;5)根据IGBT的损耗值P和IGBT模块的4阶Foter传热模型得出预测的时间段内IGBT结温随时间变化趋势的离散曲线。
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