[发明专利]用于非平坦晶体管的钨栅极在审
| 申请号： | 201710339421.0 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107275404A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | S·S·普拉丹;D·B·伯格斯特龙;J-S·全;J·邱 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L29/49;H01L29/417;H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 唐立,郑冀之 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本说明书涉及制造具有非平坦晶体管的微电子器件的领域。本说明书的实施方案涉及在非平坦NMOS晶体管内形成栅极，其中NMOS功函数材料，例如铝、钛和碳的组合物，可以结合含钛的栅极填充阻挡物一起用于促进将含钨导电材料用于形成非平坦NMOS晶体管栅极的栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 平坦 晶体管 栅极 | ||
【主权项】：
一种晶体管栅极，包括：基底；在所述基底上的栅极介电体；在所述栅极介电体上的NMOS功函数材料，其中所述NMOS功函数材料包含铝、钛和碳；在所述NMOS功函数材料上的栅极填充阻挡物，其中所述栅极填充阻挡物包含钛；在所述栅极填充阻挡物上的栅极填充材料，其中所述栅极填充材料包含钨；以及帽盖结构，其中所述帽盖结构接触所述NMOS功函数材料、所述栅极填充阻挡物和所述栅极填充材料。
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