[发明专利]一种神经刺激电极及其制造方法有效
| 申请号： | 201710339961.9 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN107224666B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 於广军;杨旭燕;王伟;杨佳威 | 申请（专利权）人： | 杭州暖芯迦电子科技有限公司 |
| 主分类号： | A61N1/05 | 分类号： | A61N1/05;B81B7/02 |
| 代理公司： | 苏州彰尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32336 | 代理人： | 潘剑 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种神经刺激电极及其制造方法，包括：S1：对半导体衬底进行扩散掺杂处理；S2：然后在半导体衬底的正面刻蚀出电极阵列结构；S3：向电极阵列结构的沟槽内填充玻璃；S4：再将半导体衬底的正面与一衬片键合；S5：接着对半导体衬底的背面进行减薄；S6：再对半导体衬底的背面进行金属电极图形化；S7：最终剥离形成神经刺激电极，本发明可形成高密度电极阵列，且电极形状可任意设计成圆形，方形，三角等所需图案，电极阵列可均匀排布也可疏密分布；并可与刺激芯片实现倒装焊连接，避免了柔性电极阵列随着电极阵列密度增加，与刺激芯片所需连接线大量增加的弊端，还可实现晶圆化大批量生产，并大幅度降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 神经 刺激 电极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种神经刺激电极制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：对半导体衬底进行扩散掺杂处理，使其正背面良性导通；S2：然后在所述半导体衬底的正面刻蚀出电极阵列结构；S3：向所述电极阵列结构的沟槽内填充玻璃；S4：再将所述半导体衬底的正面与一衬片键合；S5：接着对所述半导体衬底的背面进行减薄，直至完全露出所述电极阵列结构中的玻璃下表面为止；S6：再对所述半导体衬底的背面进行金属电极图形化；S7：最终将所述半导体衬底与衬片剥离，形成神经刺激电极。
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