[发明专利]一种提高三极管K值的磷硅玻璃退火工艺有效
| 申请号： | 201710341853.5 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN107256828A | 公开（公告）日： | 2017-10-17 |
| 发明（设计）人： | 李本想;周莲莲;顾秀陶;刘美蓉 | 申请（专利权）人： | 扬州晶新微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 谈杰 |
| 地址： | 225009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种提高三极管K值的磷硅玻璃退火工艺，包括以下步骤，S1：将芯片均匀间隔放置在石英舟上；S2：将石英舟送入扩散炉中；S3：对扩散炉进行先升温、然后保温和最后降温操作，然后将石英舟从扩散炉中拉出，本发明解决了现有技术中芯片应力对半导体三极管性能产生不利影响的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 三极管 玻璃 退火 工艺 | ||
【主权项】：
一种提高三极管K值的磷硅玻璃退火工艺，其特征在于，包括以下步骤，步骤S1：将芯片均匀间隔放置在石英舟上；步骤S2：将石英舟送入扩散炉中；步骤S3：对扩散炉进行先升温、然后保温和最后降温操作，然后将石英舟从扩散炉中拉出。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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