[发明专利]一种纳米片状氧化铋的制法和用途有效
申请号: | 201710342243.7 | 申请日: | 2017-05-16 |
公开(公告)号: | CN106984298B | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 蒋峰芝;张叶飞;史颖颖;陈宇;王珊;龙艳菊;李领鑫 | 申请(专利权)人: | 云南大学 |
主分类号: | B01J23/18 | 分类号: | B01J23/18;C02F1/30;C02F101/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650091 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: |
本发明属于半导体光催化剂领域,具体涉及一种C/N掺杂β‑Bi |
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搜索关键词: | 一种 纳米 片状 氧化 制法 用途 | ||
【主权项】:
一种C/N掺杂β‑Bi2O3纳米片的合成方法,其特征在于包括如下几个步骤:第一步,将0.01‑0.4gC/N源物质加入到50‑100mL的硝酸溶液(0.5‑1.5mol/L)中,搅拌1h;第二步,向第一步得到的浑浊液中加入1‑5g铋源物质,40‑60℃下搅拌溶解;第三步,向第二步得到的浑浊液中滴加120‑160mL 0.6mol/L的Na2CO3溶液,滴加完成后反应体系在40‑60℃下陈化6‑24h;第四步,离心分离第三步的产物,得到的沉淀分别用洗涤溶剂和超纯水各洗3次,60℃干燥,将干燥后的粉末放入马弗炉中300‑380℃焙烧0.5‑8h,即可得到C/N掺杂β‑Bi2O3纳米片。
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