[发明专利]一种应用石墨烯电极在GaN自支撑衬底上制备AlGaN肖特基日盲紫外探测器的方法

摘要

本发明涉及一种应用石墨烯电极在GaN自支撑衬底上制备AlGaN肖特基日盲紫外探测器的方法，其中制作方法包括：先通过氢化物化学气相制备自支撑衬底GaN，在GaN自支撑衬底上依次沉积N型重掺杂高Al组分的AlGaN层、N型轻掺杂高Al组分的AlGaN层。然后在结构背面，通过电子束蒸发制作欧姆接触的背电极，在N型轻掺杂AlGaN层上制备石墨烯肖特基接触，并且用剥离技术制作圆形图案。最后在整个结构顶部沉积一层钝化层，并刻蚀部分钝化层至石墨烯肖特基接触表面，然后沉积金属盖帽层。本发明兼顾目前的工艺生产流程，将高阻率的GaN作为自支撑衬底，实现了两个接触制作在衬底不同侧，减小了开启电压，并且将石墨烯用作肖特基接触，进一步提高紫外透过率，提高日盲紫外探测器性能，以用于探测微弱信号的紫外光线。

主权项

1.一种应用石墨烯电极在GaN自支撑衬底上制备AlGaN肖特基日盲紫外探测器的方法，包括：通过氢化物化学气相沉积制备GaN自支撑衬底；在所述GaN自支撑衬底的正面通过有机化学气相沉积依次沉积N型重掺杂高Al组分的AlGaN层、N型轻掺杂高Al组分的AlGaN层；所述的高Al组分的AlGaN是Al组分大于0.4的AlGaN；在GaN自支撑衬底背面，通过电子束蒸发制作欧姆接触的背电极；在N型轻掺杂高Al组分的AlGaN层上制备石墨烯肖特基接触，并且用剥离技术制备圆形图案；在整个结构顶部沉积一层钝化层；刻蚀部分钝化层至石墨烯肖特基接触表面，在肖特基接触表面延伸金属接触。