[发明专利]一种三维存储器适应性操作装置以及方法有效

专利信息
申请号: 201710343097.X 申请日: 2017-05-16
公开(公告)号: CN107170481B 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 曹华敏;付祥;王颀;霍宗亮;叶甜春 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 100029 北京市朝阳*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种三维存储器适应性操作装置以及方法,该三维存储器适应性操作装置包括:三维存储器、字线译码器、电压选通电路、电压产生电路以及控制电路;三维存储器具有存储阵列;电压产生电路依次通过电压选通电路以及字线译码器与存储阵列连接;控制电路分别与电压产生电路、电压选通电路、字线译码器以及存储阵列连接;控制电路用于调节电压产生电路的输出电压的幅值,并通过控制电压选通电路在所述输出电压中进行选择,控制选中输出电压的选通时间,以调节存储阵列的读取、编程和擦除信号的准确性。本发明技术方案通过调节输出电压的幅值以及选通时间,调节存储阵列的读取、编程和擦除信号的准确性,提高了存储数据的可靠性。
搜索关键词: 一种 三维 存储器 适应性 操作 装置 以及 方法
【主权项】:
一种三维存储器适应性操作装置,其特征在于,包括:三维存储器、字线译码器、电压选通电路、电压产生电路以及控制电路;所述三维存储器具有存储阵列;所述电压产生电路依次通过所述电压选通电路以及所述字线译码器与所述存储阵列连接;所述控制电路分别与所述电压产生电路、所述电压选通电路、所述字线译码器以及所述存储阵列连接;其中,所述控制电路用于调节所述电压产生电路的输出电压的幅值,并通过控制所述电压选通电路在所述输出电压中进行选择,控制选中输出电压的选通时间,以调节所述存储阵列的读取、编程、擦除信号的准确性。
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