[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710343140.2 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108878528B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：基底，基底上具有第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构和第二栅极结构间的基底具有间隔区，基底上、第一栅极结构的侧壁和顶部上以及第二栅极结构侧壁和顶部具有介质层，介质层上具有停止层；去除间隔区上的停止层和部分介质层，在停止层和介质层内形成第一开口，第一开口底部暴露出间隔区介质层；去除第二栅极结构上停止层，直至暴露出第二栅极结构上的介质层的顶部，在第二栅极结构上的停止层内形成第二开口，第二开口与第一开口连通；以停止层为掩膜，刻蚀第一开口和第二开口底部的介质层，直至暴露出间隔区基底和第二栅极结构表面，在介质层内形成第三开口。所形成的器件性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构和第二栅极结构之间的基底具有间隔区，所述基底上、第一栅极结构的侧壁和顶部上以及第二栅极结构的侧壁和顶部上具有介质层，所述介质层上具有停止层；去除所述间隔区上的停止层和部分介质层，在所述停止层和介质层内形成第一开口，所述第一开口底部暴露出间隔区上的介质层；形成所述第一开口之后，去除第二栅极结构上的停止层，直至暴露出第二栅极结构上的介质层的表面，在所述第二栅极结构上的停止层内形成第二开口，所述第二开口与第一开口连通；以所述停止层为掩膜，刻蚀第一开口和第二开口底部的介质层，直至暴露出间隔区的基底和第二栅极结构的顶部表面，在介质层内形成第三开口。
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