[发明专利]针对磁流变减振器可记忆磁路结构的磁场双向调节方法

摘要

本发明涉及一种针对磁流变减振器可记忆磁路结构的磁场双向调节方法，利用铝镍钴和钕铁硼永磁体叠加磁场的记忆特性，通过施加瞬时脉冲磁场改变永磁体磁化状态且其磁化水平能够被记忆住，从而使减振器阻尼间隙中的磁感应强度实现双向调节的技术。与现有方法相比具有以下优点：所述针对磁流变减振器可记忆磁路结构的磁场双向调节方法，利用可记忆磁路结构中不同矫顽力与剩磁特性的永磁体组合产生磁场的记忆特性，仅通过施加瞬时脉冲磁场即可实现对磁场强度的改变和维持，无需外部持续供能，减少了电能损耗，且能够对阻尼间隙的磁场强度进行双向调节。

主权项

1.一种针对磁流变减振器可记忆磁路结构的磁场双向调节方法，其特征在于：磁流变减振器可记忆磁路结构为：在活塞(1)内、沿活塞轴设有多个线圈(5)、钕铁硼永磁体(3)和铝镍钴永磁体(2)组成的结构，在阻尼间隙(4)中充满磁流变液；磁场双向调节步骤如下：1、当铝镍钴永磁体和钕铁硼永磁体初始磁场方向一致时，阻尼间隙中，磁场初始磁感应强度为B1+B2：情况1：减弱磁场的磁感应强度对铝镍钴永磁体施加一个瞬时脉冲磁场，其磁场强度方向与铝镍钴永磁体磁化方向相反，其磁场强度大小使铝镍钴永磁体磁感应强度减小ΔB11；若ΔB11B1，则铝镍钴永磁体被反向充磁磁化；当瞬时脉冲磁场结束作用后，铝镍钴永磁体磁感应强度方向与初始时相反，磁感应强度大小变为ΔB11‑B1且该磁化水平被记忆；钕铁硼永磁体磁感应强度不被改变仍为B2，铝镍钴永磁体在活塞内部与钕铁硼永磁体形成闭合磁力线，此时阻尼间隙中磁感应强度减弱为B2‑(ΔB11‑B1)；情况2：增强磁场的磁感应强度对铝镍钴永磁体施加一个瞬时脉冲磁场，其磁场强度方向与铝镍钴永磁体磁化方向一致，其磁场强度大小使铝镍钴永磁体磁感应强度增大ΔB12；当瞬时脉冲磁场结束作用后，铝镍钴永磁体磁感应强度增大至B1+ΔB12且该磁化水平被记忆；钕铁硼永磁体磁感应强度不被改变仍为B2，则此时阻尼间隙中磁感应强度增强为B2+(B1+ΔB12)；2、铝镍钴永磁体和钕铁硼永磁体初始磁场方向相反在两永磁体之间形成闭合磁场回路，阻尼间隙的初始磁感应强度为两个永磁体初始磁感应强度的矢量叠加，为B2‑B1；情况1：减弱磁场的磁感应强度对铝镍钴永磁体施加一个瞬时脉冲磁场，其磁场强度方向与铝镍钴永磁体磁化方向一致，其磁场强度大小可使铝镍钴永磁体的磁感应强度增强ΔB21；当瞬时脉冲磁场结束作用后，铝镍钴永磁体磁感应强度增强至B1+ΔB21且该磁化水平被记忆，铝镍钴永磁体保持在磁化状态；若B1+ΔB21≥B2，铝镍钴永磁体完全抵消钕铁硼永磁体在阻尼间隙的磁感应强度，此时阻尼间隙中磁感应强度大小为B1+ΔB21‑B2，阻尼间隙磁感应强度绝对值为最低为零；若B1+ΔB21B1，则当瞬时脉冲磁场结束作用后，铝镍钴永磁体被反向充磁磁化，磁感应强度与初始状态方向相反，大小为ΔB22‑B1，由于铝镍钴永磁体不再与钕铁硼永磁体形成闭合磁场，阻尼间隙中两种永磁体的合成磁感应强度为B2+(ΔB22‑B1)。