[发明专利]一种溶剂蒸发退火增强金属纳米线透明导电薄膜性能的方法有效
申请号: | 201710345105.4 | 申请日: | 2017-05-16 |
公开(公告)号: | CN107256741B | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 章勇;周永田;魏优;钟远聪 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B1/02 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 江裕强 |
地址: | 510631 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种溶剂蒸发退火增强金属纳米线透明导电薄膜性能的方法。该方法利用金属纳米线表面配体PVP一般易溶于极性溶剂的特点,通过低沸点的醇类溶剂蒸发退火方法来去除金属纳米线表面配体PVP,减小金属纳米线间的接触电阻,达到降低金属纳米线透明导电薄膜的方块电阻的目的。本发明方法工艺过程简单、成本低,可通过调节溶剂蒸发退火时间,实现对金属纳米线间接触电阻大小的调节,实现对金属纳米线透明导电薄膜方块电阻的调控;处理后的金属纳米线透明导电薄膜,相比未经处理的初始金属纳米线透明导电薄膜,方块电阻降低了8%~50%。 | ||
搜索关键词: | 一种 溶剂 蒸发 退火 增强 金属 纳米 透明 导电 薄膜 性能 方法 | ||
【主权项】:
1.一种溶剂蒸发退火增强金属纳米线透明导电薄膜性能的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将金属纳米线分散液通过溶液加工方式在衬底上制备金属纳米线薄膜,随后热处理去除残余溶剂,得到金属纳米线透明导电薄膜;所述溶液加工方式包括旋涂法、喷涂法、自组装提拉法、迈耶棒法或真空抽滤法;(2)将得到的金属纳米线透明导电薄膜置于密闭容器中,加入低沸点的醇类溶剂,金属纳米线透明导电薄膜与低沸点的醇类溶剂不直接接触,进行溶剂蒸发原位退火处理;所述溶剂蒸发原位退火处理是将加入低沸点的醇类溶剂后的密闭容器置于室温环境中放置1~3小时;(3)溶剂蒸发原位退火处理结束后,取出金属纳米线透明导电薄膜,置于热台上加热处理,除去残留溶剂,得到性能增强的金属纳米线透明导电薄膜。
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