[发明专利]用于高电压应力施加的栅极保护在审
| 申请号： | 201710346162.4 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107393843A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | R·P·梅卡洛;S·理查;C·希佩尔;M·滋尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/8234;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于高电压应力施加的栅极保护，其中，一种用于半导体装置的测试结构包括含晶体管的受测装置，该晶体管具有栅极电极、源极电极、漏极电极及主体电极；串联而设的第一熔丝与第二熔丝，其中，该第一熔丝的一个接端连接至该栅极电极，该第二熔丝的一个接端连接至该主体电极，并且该第一熔丝的另一接端与该第二熔丝的另一接端彼此连接；连接至该第一熔丝的第一接端且连接至该晶体管的该栅极电极的第一输入/输出垫、连接至该第二熔丝的第一接端且连接至该晶体管的该主体电极的第二输入/输出垫、及连接至该第一熔丝的第二接端且连接至该第二熔丝的第二接端的第三输入/输出垫。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电压 应力 施加 栅极 保护 | ||
【主权项】：
一种用于半导体装置的测试结构，其包含：包括晶体管的受测装置，该晶体管具有栅极电极、源极电极、漏极电极及主体电极；串联而设的第一熔丝与第二熔丝，其中，该第一熔丝的第一接端连接至该栅极电极，该第二熔丝的第一接端连接至该主体电极，并且该第一熔丝的第二接端与该第二熔丝的第二接端彼此连接；以及连接至该第一熔丝的该第一接端且连接至该晶体管的该栅极电极的第一输入/输出垫、连接至该第二熔丝的该第一接端且连接至该晶体管的该主体电极的第二输入/输出垫、及连接至该第一熔丝的该第二接端且连接至该第二熔丝的该第二接端的第三输入/输出垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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