[发明专利]半导体装置及方法在审
| 申请号： | 201710346259.5 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107393961A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 史帝芬·费拉候史奇;拉夫·尹葛恩 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336;H01L27/1159 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及方法，该半导体装置包括衬底；形成于该衬底上方的栅极结构，该栅极结构包括具有第一残余极化的第一铁电材料、及具有第二残余极化的第二铁电材料，该第一残余极化小于该第二残余极化；以及形成于该衬底中的源极与漏极区，该源极与漏极区是通过在该栅极结构下面沿着长度方向延展的沟道区而侧向隔开，其中该第一铁电材料与该第二铁电材料是在与该衬底的上表面平行的平面中堆栈。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包含：衬底；栅极结构，形成于该衬底上方，该栅极结构包含具有第一残余极化的第一铁电材料、及具有第二残余极化的第二铁电材料，该第一残余极化小于该第二残余极化；以及形成于该衬底中的源极与漏极区，该源极与漏极区是通过在该栅极结构下面沿着长度方向延展的沟道区而侧向隔开；其中，该第一铁电材料与该第二铁电材料是在与该衬底的上表面平行的平面中堆栈。
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