[发明专利]一种控制碳化硅单晶生长装置在审
| 申请号： | 201710346415.8 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107142520A | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 张贺;古宏伟;丁发柱;屈飞;李辉;张慧亮;董泽斌;商红静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种控制碳化硅单晶生长装置，其感应线圈(1)、坩埚(2)、气路系统和升降旋转控制系统均位于真空腔室内。坩埚(2)位于升降旋转控制系统的上托盘(8)和下托盘(10)之间，放置在感应线圈(1)内的中央位置。坩埚(2)外包覆有保温层(4)。感应线圈(1)位于真空腔室中心位置，用以加热坩埚(2)。坩埚(2)内装有碳化硅粉料和籽晶，用于碳化硅晶体生长。气路系统连接在真空腔室侧壁上。通过上、下托盘的移动，控制坩埚与线圈的相对位置；调整坩埚下部和坩埚锅盖的旋转速度和方向，控制碳化硅晶体生长时原料区和晶体生长区的距离；通过原料区和晶体生长区距离的控制，实现晶体生长温度的精确控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 碳化硅 生长 装置 | ||
【主权项】：
一种基于碳化硅单晶生长装置，包括真空腔室(12)、感应线圈(1)、坩埚(2)和气路系统，其特征在于：所述的单晶生长装置还包括升降旋转控制系统；所述的感应线圈(1)、坩埚(2)、气路系统和升降旋转控制系统均位于真空腔室(12)内；坩埚(2)位于升降旋转控制系统的上托盘(8)和下托盘(10)之间，放置在感应线圈(1)内的中央位置；坩埚(2)外包覆有保温层(4)；感应线圈(1)位于真空腔室(12)中心位置，用以加热坩埚(2)；坩埚(2)为发热体，内装有碳化硅粉料和籽晶，用于碳化硅晶体生长；气路系统连接在真空腔室(12)侧壁上，用于提供碳化硅晶体生长时所需要的气氛。
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