[发明专利]利用准分子激光退火制作低温多晶硅的系统及其承载装置有效
申请号: | 201710347128.9 | 申请日: | 2017-05-17 |
公开(公告)号: | CN106981416B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 余威 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/268;H01L21/673 |
代理公司: | 44280 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 李庆波<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供了一种利用准分子激光退火制作低温多晶硅的系统及其承载装置,该承载装置包括承载主体以及加热元件;其中,所述加热元件用于对所述承载主体进行加热,所述承载主体的上表面设有导热支撑体,在利用准分子激光退火法制作低温多晶硅的过程中,所述导热支撑体用于支撑玻璃基板,并将所述承载主体的热量传递到玻璃基板上。该承载装置通过设置加热元件以及带有导热支撑体的承载主体结构,可以对承载多晶硅材料的玻璃基板进行局部加热,进而在重结晶过程中可以形成稳定的低温区和高温区,以便获得可控制结晶方向的多晶硅材料,使多晶硅材料具有晶粒间晶界少,晶粒大,且多晶硅的载子移动率高的特点。 | ||
搜索关键词: | 利用 准分子激光 退火 制作 低温 多晶 系统 及其 承载 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于准分子激光退火制作低温多晶硅系统中的承载装置,其特征在于,所述承载装置包括承载主体、加热元件以及隔热层;其中,所述加热元件用于对所述承载主体进行加热,所述承载主体的上表面设有导热支撑体;所述导热支撑体包括多个单独的金属柱状结构导热支撑单元,多个单独的金属柱状结构导热支撑单元与所述承载主体导热接触并粘接连接;所述多个导热支撑单元不规则排布设置在所述承载主体的上表面;在利用准分子激光退火法制作低温多晶硅的过程中,所述多个导热支撑单元用于支撑玻璃基板,并将所述承载主体的热量传递到玻璃基板上;所述加热元件与所述承载主体连接,所述加热元件通过接触传热的方式对所述承载主体进行加热;所述承载主体的中部设有容置腔,所述加热元件设于所述容置腔内;所述隔热层设于所述承载主体的上表面,且填充于所述多个导热支撑单元之间,用于对导热支撑单元之间的承载主体上表面与玻璃基板的空隙进行隔热。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造