[发明专利]纵向PiNGe发光二极管有效
| 申请号： | 201710347364.0 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107256910A | 公开（公告）日： | 2017-10-17 |
| 发明（设计）人： | 刘晶晶 | 申请（专利权）人： | 厦门科锐捷半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/34;H01L33/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361021 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种纵向PiN Ge发光二极管10。该发光二极管10包括：P型Si衬底11以及依次层叠于所述P型Si衬底11上的本征Ge层12及N型Si层13。本发明具有Ge外延层位错密度低的优点，且利用其作为Si衬底上Ge LED有源区，能够很好地提高器件发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 纵向 pinge 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种纵向PiN Ge发光二极管(10)，其特征在于，包括：P型Si衬底(11)以及依次层叠于所述P型Si衬底(11)上的本征Ge层(12)及N型Si层(13)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门科锐捷半导体科技有限公司，未经厦门科锐捷半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710347364.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种赶水装置及制绒机
- 下一篇：芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法
