[发明专利]一种香樟茎段的组培繁殖方法

摘要

本发明涉及一种香樟组织培养繁殖方法，首次采用改进DCR培养基和MS培养相结合，通过改进DCR培养基元素含量、调节植物激素水平、增加活性炭、调控温度光照、增加壮苗培养等措施，发明了一种芽诱导率高达98％以上，增殖系数平均为4.8，褐化率小于3.2％、壮苗率(高3cm以上)81％以上，并且移栽成活率达到87％以上的香樟组培体系，满足市场对香樟的大量需求。

主权项

1.一种香樟茎段的组培繁殖方法，其特征在于，包括以下步骤：1)外植体材料的消毒：取当年生嫩枝梢10‑15cm消毒；2)芽的诱导：将消毒好的材料剪段，每段带有1‑2个腋芽，接种到初始培养基MS中，经过10‑20天培养，腋芽萌动并长出新芽；3)芽的分化：将长出的小芽接种在分化培养基上，培养20天左右；4)芽的增殖：待芽苗形成丛生芽后，将新芽分割成单株接种到增殖培养基中继代培养，至芽的增殖系数平均为4.8；褐化率小于3.2％；5)壮苗培养：将得到的不定芽置于壮苗培养基中培养10‑20天，至高3cm以上的壮苗比率为81％以上；6)生根诱导：将所述壮苗接种到生根培养基中，培养10天左右，生根率高达98％以上，待根长2cm、叶片3‑5枚进行炼苗与移栽；7)炼苗与移栽：将组培苗置于70％遮荫的大棚中炼苗7‑10天，移栽至基质中；和8)移栽后置于小型塑料薄膜拱棚，并盖实，7天后逐渐打开，半个月后全部打开，待长出新叶后进行正常水肥管理；其中在步骤2)中，培养温度为24‑26℃，光照强度为1800‑2000lx，光照为每天14‑16h；其中在步骤3)中，培养温度为24‑26℃，光照强度为1800‑2000lx，光照为每天12‑14h；其中所述步骤3)中所述分化培养基是以改进DCR培养基为基础，添加植物激素6‑BA 1.0mg/L、NAA 0.1mg/L；其中在步骤4)中，所用增殖培养基为改进DCR培养基为基础，添加6‑BA 1.5‑2.5mg/L、NAA 0.1‑0.5mg/L、活性炭0.5g/L；其中在步骤5)中，所用壮苗培养基为MS培养基为基础，添加6‑BA 1.5‑2.5mg/L、IAA 0.1mg/L、活性炭1g/L；并且其中在步骤6)中，培养温度为24‑26℃，光照强度为2000‑2200lx，光照为每天10‑12h；所述改进DCR培养基的组成及其含量为：NH4NO3：400mg/L、KNO3：340mg/L、Ca(NO3)2·4H2O：278mg/L、KH2PO4：170mg/L、MgSO4·7H2O：370mg/L、CaCl2·2H2O：42.5mg/L、H3BO4：6.2mg/L、MnSO4·4H2O：22.3mg/L、ZnSO4·7H2O：8.6mg/L、CuSO4·5H2O：0.25mg/L、KI：0.83mg/L、CoCl2·6H2O：0.025mg/L、NiCl2：0.025mg/L、Na2MoO4·2H2O：0.25mg/L、FeSO4·7H2O：27.8mg/L、Na2‑EDTA：37.3mg/L、VB1：1.0mg/L、VB6：0.5mg/L、VB3：0.5mg/L、甘氨酸：2.0mg/L、肌醇：200mg/L、蔗糖：30g/L、琼脂：6g/L。