[发明专利]红外LED及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710347606.6 申请日: 2017-05-17
公开(公告)号: CN107316921B 公开(公告)日: 2019-11-26
发明(设计)人: 冉文方 申请(专利权)人: 蔡翔
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 11823 北京鼎德宝专利代理事务所(特殊普通合伙) 代理人: 牟炳彦<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 317000 浙江省台*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种红外LED及其制备方法,该方法包括:选取Si衬底;在Si衬底表面生长Ge外延层;在Ge外延层表面上淀积保护层;利用LRC工艺晶化Si衬底、Ge外延层、保护层;刻蚀保护层,形成晶化后的Ge层;对晶化后的Ge层进行掺杂形成P型晶化Ge层;在P型晶化Ge层表面连续生长Ge层、N型Ge层和N型Si层;制作金属电极,最终形成红外LED。本发明采用激光再晶化(Laser Re‑Crystallization,简称LRC)工艺可有效降低Ge虚衬底的位错密度、表面粗糙度、界面缺陷,提升Ge虚衬底的质量。
搜索关键词: 红外 led 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种红外LED的制备方法,其特征在于,包括:/n选取Si衬底;/n在所述Si衬底表面生长Ge外延层;所述Ge外延层包括Ge籽晶层和所述Ge籽晶层上的Ge主体层;/n在所述Ge外延层表面上淀积SiO2保护层;/n利用LRC工艺晶化所述Si衬底、所述Ge外延层、所述保护层;/n刻蚀所述保护层,形成晶化后的Ge层;/n对晶化后的所述Ge层进行掺杂形成P型晶化Ge层;/n在所述P型晶化Ge层表面连续生长Ge层、N型Ge层和N型Si层;/n制作金属电极,最终形成所述红外LED。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于蔡翔,未经蔡翔许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710347606.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code