[发明专利]红外LED及其制备方法有效
申请号: | 201710347606.6 | 申请日: | 2017-05-17 |
公开(公告)号: | CN107316921B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 冉文方 | 申请(专利权)人: | 蔡翔 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 11823 北京鼎德宝专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 牟炳彦<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 317000 浙江省台*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种红外LED及其制备方法,该方法包括:选取Si衬底;在Si衬底表面生长Ge外延层;在Ge外延层表面上淀积保护层;利用LRC工艺晶化Si衬底、Ge外延层、保护层;刻蚀保护层,形成晶化后的Ge层;对晶化后的Ge层进行掺杂形成P型晶化Ge层;在P型晶化Ge层表面连续生长Ge层、N型Ge层和N型Si层;制作金属电极,最终形成红外LED。本发明采用激光再晶化(Laser Re‑Crystallization,简称LRC)工艺可有效降低Ge虚衬底的位错密度、表面粗糙度、界面缺陷,提升Ge虚衬底的质量。 | ||
搜索关键词: | 红外 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种红外LED的制备方法,其特征在于,包括:/n选取Si衬底;/n在所述Si衬底表面生长Ge外延层;所述Ge外延层包括Ge籽晶层和所述Ge籽晶层上的Ge主体层;/n在所述Ge外延层表面上淀积SiO2保护层;/n利用LRC工艺晶化所述Si衬底、所述Ge外延层、所述保护层;/n刻蚀所述保护层,形成晶化后的Ge层;/n对晶化后的所述Ge层进行掺杂形成P型晶化Ge层;/n在所述P型晶化Ge层表面连续生长Ge层、N型Ge层和N型Si层;/n制作金属电极,最终形成所述红外LED。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于蔡翔,未经蔡翔许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710347606.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。