[发明专利]一种红外二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种红外二极管及其制备方法，所述制备方法包括选取SOI衬底；在所述SOI衬底第一指定区域制作晶化Ge层；在所述SOI衬底中制作N型Si区域和P型Si区域；对所述晶化Ge层掺杂形成N型晶化Ge层；在所述N型Si层和所述P型Si层上制作电极以完成所述二极管的制备。本发明提供的红外二极管，其中准直接带隙改性Ge区域不仅可以发光，也可以作为波导区；另外利用激光再晶化工艺处理，获得低位错密度的Ge外延层，Si与Ge之间材料界面特性更好好，从而提高了器件性能。

主权项

一种红外二极管及其制备方法，其特征在于，包括：(a)选取SOI衬底；(b)在所述SOI衬底第一指定区域制作晶化Ge层；(c)在所述SOI衬底中制作N型Si区域和P型Si区域；(d)对所述晶化Ge层掺杂形成N型晶化Ge层；(e)在所述N型Si层和所述P型Si层上制作电极以完成所述二极管的制备。