[发明专利]横向结构LED及其制备方法在审
| 申请号： | 201710347694.X | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107170858A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 刘晶晶 | 申请（专利权）人： | 厦门科锐捷半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/34;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361021 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向结构LED及其制备方法，所述制备方法包括选取SOI衬底；在所述SOI衬底上生长外延层；制作晶化Ge层；在所述晶化Ge层上生长制作脊状Ge‑Sn合金层；在所述脊状Ge‑Sn合金层中制作N型Ge‑Sn合金层及P型Ge‑Sn合金层；制作电极以完成所述LED的制备。本发明利用激光再晶化工艺，处理SOI衬底上的Ge外延层，使其熔化再结晶，横向释放Ge外延层的位错缺陷，获得低位错密度的Ge外延层；同时，由于LRC工艺可精确控制晶化区域，Si与Ge之间材料界面特性好，从而提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 结构 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种横向结构LED的制备方法，其特征在于，包括：(a)选取SOI衬底；(b)在所述SOI衬底上生长Ge外延层；(c)对所述Ge外延层进行晶化处理形成晶化Ge层；(d)在所述晶化Ge层上生长制作脊状Ge‑Sn合金层；(e)在所述脊状Ge‑Sn合金层中制作N型Ge‑Sn合金层及P型Ge‑Sn合金层；(f)制作电极以完成所述LED的制备。
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