[发明专利]元胞版图、元胞结构及碳化硅结势垒肖特基二极管的制作方法在审
| 申请号： | 201710347957.7 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107170836A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 唐亚超;何钧;赵群;徐俊;王陆委;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 殷红梅,刘海 |
| 地址： | 225063 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种元胞版图、元胞结构及碳化硅结势垒肖特基二极管的制作方法，包括碳化硅衬底、衬底上外延层以及外延层上注入形成的P掺杂区域，所述P掺杂区域为圆形/多边形元胞和条形元胞混合形成。圆形/多边形元胞增加肖特基接触面积占比，提高器件正向电流密度。条形元胞消除拐角处元胞和环形过渡区形成的尖角，提高器件的反向耐压能力，使器件不易烧毁。本发明提高器件安全性能的同时增加器件正向电流密度，节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 版图 结构 碳化硅 结势垒肖特基 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种元胞版图，包括元胞区（101）、围绕元胞区（101）的过渡区（103）、过渡区（103）外围的终端区（104）、以及位于元胞区（101）之间的肖特基接触区域（102）；其特征是：所述元胞区（101）包括第一元胞区和第二元胞区，第一元胞区包括若干圆形和/或多边形元胞区，第二元胞区设置在过渡区（103）的拐角处，第二元胞区包括多条与过渡区（103）拐角相平行的条形元胞区。
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