[发明专利]LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710349475.5 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107221585A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 刘恒山;顾伟霞;陈立人;冯猛 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 | 代理人： | 沈晓敏 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、GaN成核层、N型GaN层、MQW有源层、高能级阻挡层及P型GaN层，其中，所述高能级阻挡层包括AlN层和/或AlN/AlGaN/AlN超晶格层。本发明在MQW有源层及P型GaN层之间生长高能级阻挡层，所述高能级阻挡层可以有效提高MQW有源层与P型GaN层之间的能阶，从而有效防止P型GaN层中的Mg扩散进入MQW有源层中而导致静电失效，进而增强了LED外延结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED外延结构，其特征在于所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、GaN成核层、N型GaN层、MQW有源层、高能级阻挡层及P型GaN层，其中，所述高能级阻挡层包括AlN层和/或AlN/AlGaN/AlN超晶格层。
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