[发明专利]一种少层三氧化钼二维原子晶体纳米片的制备方法和应用在审
| 申请号： | 201710350244.6 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107190319A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 谢伟广;何锐辉 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/64;C30B1/02;C30B33/10;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 宫爱鹏,陈燕娴 |
| 地址： | 510632 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种少层三氧化钼二维原子晶体纳米片的制备方法。该方法包括以下具体步骤(1)将三氧化钼粉末通过再结晶形成三氧化钼晶体。(2)将三氧化钼晶体粘贴于胶带上。(3)将胶带粘贴于平整衬底上，挤压其中的气泡，贴实，然后撕开，使部分三氧化钼晶体紧贴于衬底上。(4)将粘附有三氧化钼的衬底浸泡于碱性溶液中8～20s，取出迅速吹干，即可在衬底表面获得大面积少层三氧化钼纳米片。本发明结合了机械剥离法和溶液插层法的优点，可以获得大面积少层三氧化钼纳米片，且制作工艺简单快捷。制备的三氧化钼晶体可用于光电器件领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 少层三 氧化钼 二维 原子 晶体 纳米 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种少层三氧化钼二维原子晶体纳米片的制备方法，其特征在于包括以下具体步骤：(1)取三氧化钼粉末，在非还原性气氛中加热获得亚毫米以上长度的三氧化钼单晶片；(2)三氧化钼单晶片转移过程：取三氧化钼单晶片粘贴于胶带上，将胶带对折数次使三氧化钼晶体均匀分布于胶带上，将胶带粘贴于平整衬底表面然后剥离，使三氧化钼晶体均匀的紧贴到衬底上；(3)将粘附有三氧化钼晶体的衬底浸泡于碱性溶液中一段时间，取出并迅速吹干即可。
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