[发明专利]一种具有复合绝缘结构的FET式气体传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710351205.8 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN107340315A | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 塔力哈尔·夏依木拉提;木拉里·马扎甫;冯艳 | 申请（专利权）人： | 新疆工程学院 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 徐宁,刘美丽 |
| 地址： | 830091 新疆维吾尔自治区乌鲁木*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有复合绝缘结构的FET式气体传感器及其制备方法，其特征在于，该FET式气体传感器包括栅电极、第一～第二支撑层、源极区域、漏极区域和微纳单晶半导体；栅电极顶部两侧设置第一支撑层和第二支撑层，第一支撑层顶部粘贴固定源极区域，第一支撑层内部长于源极区域部分为固态绝缘层，源极区域底部内侧开设第一凹槽；第二支撑层顶部粘贴固定漏极区域，第二支撑层与漏极区域内端部平齐，漏极区域底部内侧开设第二凹槽；微纳单晶半导体固定设置第一支撑层和第二支撑层顶部，微纳单晶半导体两端分别插设第一凹槽和第二凹槽，栅电极、第一支撑层、第二支撑层和微纳单晶半导体形成的空腔为空气间隙绝缘层，本发明可广泛用于气体传感器领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 绝缘 结构 fet 气体 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有复合绝缘结构的FET式气体传感器，其特征在于，该FET式气体传感器包括栅电极、第一支撑层、第二支撑层、源极区域、漏极区域和微纳单晶半导体，其中，所述第一支撑层的宽度大于所述源极区域的宽度；所述栅电极顶部两侧分别固定设置所述第一支撑层和第二支撑层，所述第一支撑层顶部粘贴固定所述源极区域，所述第一支撑层与所述源极区域内端部不平齐，且所述第一支撑层内部长于所述源极区域的部分为固态绝缘层，所述源极区域底部内侧开设有第一凹槽；所述第二支撑层顶部粘贴固定所述漏极区域，所述第二支撑层与所述漏极区域内端部平齐，所述漏极区域底部内侧开设有第二凹槽；所述微纳单晶半导体固定设置在所述第一支撑层和第二支撑层顶部，且所述微纳单晶半导体的两端分别插设在所述第一凹槽和第二凹槽内，所述栅电极顶部、所述第一支撑层与第二支撑层之间的间隙以及所述微纳单晶半导体底部形成的空腔构成空气间隙绝缘层。
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