[发明专利]一种离子注入法制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺

摘要

本发明公开了一种离子注入法制作N型PERT(passivated emitter,rear totally‑diffused)双面太阳电池的制备工艺，所述工艺流程包括如下步骤首先硅片双面制绒；再对制绒后的硅片正面离子注入硼形成P+N结，背面离子注入磷形成N+N高低结；然后硅片双面共同激活回火并同时生成SiO2钝化膜；再在生成SiO2钝化膜后的硅片双面用PECVD法生长SiNx减反膜；接着在生长SiNx减反膜后的硅片双面印刷Ag；再进行共烧结处理；最后进行电性测试。本发明用离子注入硼形成PERT正面P+N结，离子注入磷形成PERT背面N+N高低结，形成双面受光太阳电池，结深和表面掺杂浓度容易靠注入能量和掺杂剂量调控，拉升电池的光电转换效率，省去扩散工艺之后的硼玻璃去除和磷玻璃去除两个步骤，精简生产工艺，降低生产成本。

主权项

一种离子注入法制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺，其特征在于：所述工艺流程包括如下步骤：硅片双面制绒；对制绒后的硅片正面离子注入硼形成P+N结，背面离子注入磷形成N+N高低结；硅片双面共同激活回火并同时生成SiO2钝化膜；在生成SiO2钝化膜后的硅片双面用PECVD法生长SiNx减反膜；在生长SiNx减反膜后的硅片双面印刷Ag；对双面印刷Ag后的硅片进行共烧结处理；对共烧结处理后的硅片进行电性测试。