[发明专利]半导体结构及其方法

摘要

一种形成半导体结构的方法包括以下操作。栅极结构设置于半导体结构的衬底的第一有源区、第二有源区和非有源区上方。第一有源区和第二有源区由非有源区间隔开。触点设置于第一有源区和第二有源区上方。至少一个栅极通孔设置于第一有源区或第二有源区上方。所述至少一个栅极通孔与栅极结构电耦合。至少一个局域互连选择性地设置于非有源区上方，以将位于第一有源区上方的至少一个触点耦合到第二有源区上方的至少一个触点。本发明实施例涉及半导体结构及其方法。

主权项

一种形成半导体结构的方法，包括：将栅极结构设置于半导体结构的衬底的第一有源区、第二有源区和非有源区上方，其中，所述第一有源区和所述第二有源区被所述非有源区间隔开；将触点设置于所述第一有源区和所述第二有源区上方，将至少一个栅极通孔设置于所述第一有源区或所述第二有源区上方，其中，所述至少一个栅极通孔与所述栅极结构电耦合；以及选择性地将至少一个局域互连设置于所述非有源区上方，以将位于所述第一有源区上方的所述触点中的至少一个耦合至位于所述第二有源区上方的所述触点中的至少一个。