[发明专利]半导体封装及其制造方法在审
| 申请号： | 201710352119.9 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN107564897A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 陈明发;叶松峯;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露涉及半导体封装及其制造方法。本揭露提供一种半导体封装，包含第一半导体结构；第一接合介电质，在所述第一半导体结构上方并且环绕第一接合金属化结构；贯穿通路，位于所述第一接合介电质上方；以及无源装置，电耦合到所述贯穿通路与所述第一接合金属化结构。本揭露还提供制造半导体封装的方法，包含提供第一裸片、接合第二裸片与所述第一裸片，其中所述第二裸片局部覆盖所述第一裸片，借以在所述第一裸片的未覆盖的部分上方形成间隙，以介电质填充所述第一裸片上方的所述间隙、在所述填充的间隙中形成贯穿介电通路TDV、以及在所述第二裸片与所述TDV上方形成无源装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，包括：第一半导体结构，具有主动区域；第一接合介电质，位于所述第一半导体结构上方并且环绕第一接合金属化结构；贯穿通路，位于所述第一接合介电质上方；以及无源装置，位于所述贯穿通路上方并且电耦合到所述贯穿通路与所述第一接合金属化结构。
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