[发明专利]VDMOS的栅氧生长方法在审
| 申请号： | 201710354120.5 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN107170672A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 刘龙平;周平华;刘建华 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所31283 | 代理人： | 薛琦,张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种VDMOS的栅氧生长方法，所述栅氧生长方法包括以下步骤S1、在N型外延层中注入磷离子，以形成JFET区域；S2、在N型外延层中注入硼离子，以形成Pbody区域；S3、在Pbody区域中注入硼离子，以形成Pplus区域；S4、在Pbody区域中注入砷离子，以形成Nplus区域；S5、在N型外延层上采用湿氧氧化的方式生长栅氧。本发明提供的VDMOS的栅氧生长方法采用湿氧氧化的方式来生长栅氧，可有效地控制VDMOS沟道长度，并且控制VDMOS源区离子再扩散和浓度分布，从而有效地解决了漏源端的漏电问题，大幅提升了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | vdmos 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种VDMOS的栅氧生长方法，其特征在于，所述栅氧生长方法包括以下步骤：S1、在N型外延层中注入磷离子，以形成JFET区域；S2、在N型外延层中注入硼离子，以形成Pbody区域；S3、在Pbody区域中注入硼离子，以形成Pplus区域；S4、在Pbody区域中注入砷离子，以形成Nplus区域；S5、在N型外延层上采用湿氧氧化的方式生长栅氧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
