[发明专利]新波长双包层掺镱光纤及制备方法

摘要

本发明公开了一种新波长双包层掺镱光纤及制备方法，涉及特种光纤及芯棒制造领域。该方法包括以下步骤采用MCVD，通入原料，在石英反应管内壁沉积第一层SiO2疏松层；采用溶液浸泡法，进行稀土离子掺杂，通过注液管，将溶液灌入石英反应管中有疏松层结构的区域；将石英反应管竖立后旋转，溶液浸泡一段时间；停止旋转，在石英反应管下方进行微创切割，使液体流出；通入高纯氮气，旋转，脱水；将溶液浸泡后的SiO2疏松层烧结，沉积第二层SiO2疏松层，重复上述液相掺杂、烧结步骤一次；将石英反应管熔缩成实心棒，得到芯棒，再拉丝，得到新波长双包层掺镱光纤。本发明能实现高功率、高稳定地直接输出波长为1018nm的激光。

主权项

一种新波长双包层掺镱光纤的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：该光纤包括由内至外依次排列的第一芯层(1)、第二芯层(2)、第三芯层(3)、第四芯层(4)、包层(5)、内涂层(6)、外涂层(7)；第一芯层(1)和第三芯层(3)在光纤预制棒制备二氧化硅疏松层时，原料为四氯化硅、四氯化锗、三氯氧磷和氧气，其中四氯化硅和四氯化锗通过氧气载出，四氯化硅载气流量为80～100sccm/min，四氯化锗载气流量为5～10sccm/min，三氯氧磷载体流量为100～200ml/min，氧气流量为800～1000sccm/min；第二芯层(2)和第四芯层(4)在光纤预制棒制备二氧化硅疏松层时，原料为四氯化硅、四氯化锗、三氯氧钒和氧气，其中四氯化硅和四氯化锗通过氧气载出，四氯化硅载气流量为80～100sccm/min，四氯化锗载气流量为5～10sccm/min，三氯氧磷载体流量为80～150ml/min，氧气流量为800～1000sccm/min；采用改良的化学气相沉积法MCVD，通入原料，在石英反应管内壁沉积第一层二氧化硅SiO2疏松层；再采用溶液浸泡法，进行稀土离子掺杂，通过注液管，将溶液灌入石英反应管中有疏松层结构的区域，液面需浸没疏松区域；将石英反应管竖立后，进行旋转，溶液浸泡一段时间；停止旋转，在石英反应管下方进行微创切割，使液体流出；通入高纯氮气，并开启旋转，进行脱水处理；采用MCVD装置将溶液浸泡后的二氧化硅SiO2疏松层烧结，再沉积第二层二氧化硅SiO2疏松层，重复上述液相掺杂、烧结步骤一次；采用MCVD装置将石英反应管熔缩成实心棒，得到新波长双包层掺镱光纤芯棒，再将新波长双包层掺镱光纤芯棒拉丝，得到新波长双包层掺镱光纤。