[发明专利]基片集成波导3‑dB宽壁小孔耦合器

摘要

本发明公开了一种基片集成波导3‑dB宽壁小孔耦合器，是由两块相同的基片集成波导通过接触组合而成的双层电路；改进的微带到基片集成波导的过渡电路通过梯形渐变接入基片集成波导；本发明在基片集成波导的公共地平面上开了两排共10个圆形小孔来实现小孔耦合的目的，并最终实现了3‑dB的强耦合效果。其中，基片集成波导是通过在印刷电路板上设计一系列金属过孔实现的。本发明能顺利实现双层基片集成波导之间的3‑dB耦合，同时实现了直通端与耦合端之间的90°相移，相对于同等技术的波导耦合器，本发明在减小耦合器面积的同时提高了耦合器的性能，制作工艺简单，成本低廉。

主权项

基片集成波导3‑dB宽壁小孔耦合器，其特征在于，包括堆叠放置的顶层介质基片和底层介质基片，其中，顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层，顶层介质基片和底层介质基片之间设置有中间层金属层，底层介质基片的下表面设置有底层金属层；堆叠放置的顶层介质基片和底层介质基片上设置有两排平行的金属化通孔，这两排金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片、中间层金属层构成第一基片集成波导，这两排金属化通孔与中间层金属层、底层介质基片、底层金属层构成第二基片集成波导；顶层介质基片的上表面设置有两条分别与第一基片集成波导上表面金属层两端连接的微带线；底层介质基片的下表面设置有两条分别与第二基片集成波导下表面金属层两端连接的微带线；中间层金属层上还开有两排平行的圆孔，这两排圆孔与金属化通孔平行，且相邻两个圆孔的圆心之间的间距相等。