[发明专利]静态随机存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201710355742.X | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN108933137B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种静态随机存储器及其制造方法，涉及半导体技术领域。静态随机存储器包括：衬底；在衬底上用于PU的第一半导体柱和用于PG的第二半导体柱；第一隔离区和栅极堆叠结构。第一隔离区位于第一和第二半导体柱之间，包括：第一区和第二区。栅极堆叠结构包括：栅极电介质层，包括第一和第二部分，第一部分在第一半导体柱的侧面的一部分上，第二部分在第二半导体柱的侧面的一部分上；P型功函数调节层，包括在第一部分上的第一区域和在第一隔离区的一部分之上与第一区域邻接的第二区域；N型功函数调节层，包括第三区域和与其邻接的第四区域，第三区域在第二部分上，第四区域在第一隔离区的另一部分之上；栅极，在P型和N型功函数调节层上。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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