[发明专利]基于有机绝缘层的梯度掺杂IGZO薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710355891.6 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107123671B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 张磊;周斌;张珊珊;刘腾飞;袁毅 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/24;H01L29/51;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/02;H01L21/445 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 李春芳 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于有机绝缘层的梯度掺杂IGZO薄膜晶体管，涉及电子技术领域，包括从下至上依次排列的衬底、栅电极、有机绝缘层、梯度掺杂IGZO半导体层，梯度掺杂IGZO半导体层上并列设有源电极和漏电极，其中，梯度掺杂IGZO半导体层包括浓度依次增大的最下层IGZO薄膜、最上层IGZO薄膜、中间层IGZO薄膜。本发明解决了IGZO半导体和有机绝缘层的晶格不匹配，从而导致后续直流磁控溅射IGZO薄膜对有机绝缘层的破坏，漏电流比较大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 有机 绝缘 梯度 掺杂 igzo 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于有机绝缘层的梯度掺杂IGZO薄膜晶体管，其特征在于，包括从下至上依次排列的衬底(1)、栅电极(2)、有机绝缘层(3)、梯度掺杂IGZO半导体层(4)，梯度掺杂IGZO半导体层(4)上并列设有源电极(5)和漏电极(6)，其中，梯度掺杂IGZO半导体层(3)包括浓度依次增大的最下层IGZO薄膜(41)、最上层IGZO薄膜(43)、中间层IGZO薄膜(42)；所述梯度掺杂IGZO半导体层(4)的最下层IGZO薄膜(41)的氧分压为5％‑8％，厚度为1～3nm；中间层IGZO薄膜(42)的氧分压为0％‑2％，厚度在2～4nm；最上层IGZO薄膜(43)的氧分压为2％‑3％，厚度为30～60nm。
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