[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。提供能够更准确地进行UV‑A波与UV‑B波的分离并且更正确地进行UV‑B波的紫外线光量的感测的半导体装置以及半导体装置的制造方法。包含：第一光电变换元件（80A）和第二光电变换元件（80B），输出与光接收的光的强度对应的光电流；第一滤光器（30A），被设置在第一光电变换元件（80A）的光接收面上；第二滤光器（30B），被设置在第二光电变换元件（80B）的光接收面上；以及第三滤光器（32），与第二滤光器（30B）相接地配置，并且，被设置在第二光电变换元件（80B）的光接收面上，在第一光电变换元件（80A）与第二光电变换元件（80B）的边界附近，第二滤光器（30B）和第三滤光器（32）的端部包覆第一滤光器（30A）的端部。

主权项

一种半导体装置，其中，包含：第一光电变换元件和第二光电变换元件，彼此邻接地配置，并且，输出与分别光接收的光的强度对应的光电流；第一滤光器，被设置在所述第一光电变换元件的光接收面上；第二滤光器，被设置在所述第二光电变换元件的光接收面上；以及第三滤光器，与所述第二滤光器相接地配置，并且，被设置在所述第二光电变换元件的光接收面上，在所述第一光电变换元件与所述第二光电变换元件的边界附近，所述第二滤光器和所述第三滤光器的端部包覆所述第一滤光器的端部。