[发明专利]一种固态硬盘降低读响应延迟的方法及固态硬盘有效
| 申请号： | 201710357269.9 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107291382B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 王猛;徐伟华;许毅 | 申请（专利权）人： | 记忆科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人： | 叶新民 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区蛇口后海大道东角头厂房D*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种固态硬盘降低读响应延迟的方法及固态硬盘，其特征在于当采用第一级错误纠错还无法正确读数据时，将无法正确读数据所在的页或块的影响因子输入纠错策略预测模块和纠错电压预测模块，纠错策略预测模块和纠错电压预测模块根据输入的影响因子预测读数据的推荐纠错策略和推荐纠错电压，NAND根据推荐纠错策略和推荐纠错电压重新读取数据。本发明通过纠错策略预测模块和纠错电压预测模块预测推荐纠错策略和推荐纠错电压，固态硬盘根据预测的推荐纠错策略和推荐纠错电压进行数据读取，可大大提高一次读取成功的概率，进而实现降低读响应延迟，达到提升固态硬盘性能的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 固态 硬盘 降低 响应 延迟 方法 | ||
【主权项】：
一种固态硬盘降低读响应延迟的方法，其特征在于当采用第一级错误纠错还无法正确读数据时，将无法正确读数据所在的页或块的影响因子输入纠错策略预测模块和纠错电压预测模块，纠错策略预测模块和纠错电压预测模块根据输入的影响因子预测读数据的推荐纠错策略和推荐纠错电压，NAND根据推荐纠错策略和推荐纠错电压重新读取数据。
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