[发明专利]一种用于强激光系统中光束采样光栅的增透减反方法有效
申请号: | 201710357385.0 | 申请日: | 2017-05-19 |
公开(公告)号: | CN107037515B | 公开(公告)日: | 2023-03-10 |
发明(设计)人: | 陈火耀;刘颖;梁举曦;王宇;刘正坤;邱克强;徐向东;洪义麟;付绍军 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | G02B5/18 | 分类号: | G02B5/18;G02B1/118 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 杨学明;顾炜 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: |
一种用于强激光系统中光束采样光栅的增透减反方法,首先利用全息离子束刻蚀方法在熔石英基底上制作亚波长光栅模板;在亚波长光栅模板上滴少许PUA紫外压印胶,然后将PET薄膜盖到PUA上,利用紫外光照射PUA使其固化,将固化后的PUA与光栅模板分离,得到亚波长光栅软模;光束采样光栅的表面清洗后,在上面旋涂PMMA压印胶,将亚波长光栅软模覆盖到PMMA上面,软模光栅条纹方向与光束采样光栅条纹方向可以平行、垂直或者成角度,用夹持机构将两者压紧,放到烘箱中加热固化,将亚波长光栅软模和基底分离,在PMMA上形成亚波长光栅;然后利用氧等离子体灰化去除PMMA光栅的底层残余胶,利用到底的PMMA亚波长光栅掩模,使用CHF |
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【主权项】:
一种用于强激光系统中光束采样光栅的增透减反方法,其特征在于包括以下步骤:(1)在基底上旋涂光刻胶,然后利用波长为413.1nm的Kr+离子激光器进行全息曝光,得到亚波长光栅的光刻胶掩模,线密度在4500lines/mm以上,占宽比0.3~0.5,再利用CHF3反应离子束刻蚀,深度为100~200nm,最后清洗去除残余光刻胶得到亚波长光栅模板;(2)清洗好亚波长光栅模板后,在上面滴上聚氨酯丙烯酸酯(PUA)紫外压印胶,然后静置,使PUA填充模板,期间使用热台加热,然后将聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜盖到PUA上,从一侧到另一侧慢慢贴合,保证模板、PUA、PET能充分贴合;最后利用紫外光照射PUA,使PUA固化,PET薄膜与PUA的接触面须进行灰化处理,以增强其表面的附着力;(3)将固化后的PUA与光栅模板分离,由于PET的表面结合力强,因此PUA与PET结合在一起,形成亚波长光栅软模;(4)光束采样光栅的表面清洗后,在上面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)压印胶,厚度为200~300nm;(5)将亚波长光栅软模覆盖到PMMA上面,软模光栅条纹方向与光束采样光栅条纹方向平行、垂直或者成角度,然后用夹持机构将软模光栅和光束采样光栅压紧,放到烘箱中加热至100~150℃固化;(6)将亚波长光栅软模和基底分离,在PMMA上形成亚波长光栅,然后利用氧等离子体灰化去除PMMA光栅的底层残余胶;(7)利用到底的PMMA亚波长光栅掩模,使用CHF3反应离子束刻蚀,刻蚀深度为70~80nm;(8)最后清洗去除残余胶,即得到具有增透减反效果的光束采样光栅。
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