[发明专利]一种三族氮化物基异质结光电晶体管

摘要

本发明涉及可见光与紫外光探测器技术领域，更具体地，涉及一种三族氮化物基异质结光电晶体管，包括衬底及生长于衬底之上的三族氮化物外延层；所述三族氮化物外延层自下而上依次包括成核层、过渡层、施主掺杂层、非故意掺杂层、多元合金受主掺杂层、较大禁带宽度材料的非故意掺杂层，较大禁带宽度材料的施主掺杂层。本发明一种三族氮化物基异质结光电晶体管，采用合金组分与掺杂浓度缓变基区，产生附加加速电场，加速电子渡越基区，减小其在基区被复合的几率，从而提高光电增益及探测的灵敏度。

主权项

1.一种三族氮化物基异质结光电晶体管，其特征在于，包括衬底(101)及生长于衬底(101)之上的三族氮化物外延层；其中，三族氮化物外延层自下而上依次包括成核层(102)，过渡层(103)，施主掺杂层(104)，非故意掺杂层(105)，多元合金受主掺杂层(106)，较大禁带宽度材料的非故意掺杂层(107)，较大禁带宽度材料的施主掺杂层(108)；所述的多元合金受主掺杂层(106)为三族氮化物基异质结光电晶体管的基区，其合金组分呈线性变化或者非线性变化，使其禁带宽度从非故意掺杂层(105)的禁带宽度逐渐变化至较大禁带宽度材料的非故意掺杂层(107)的禁带宽度，厚度为0.08‑0.3μm。