[发明专利]半导体制造方法及半导体装置有效
| 申请号： | 201710357936.3 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN108962823B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 曹蓓 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体制造方法及半导体装置，涉及半导体技术领域。其中，半导体制造方法包括：提供衬底结构；以预定去除高度去除第二区域的一部分，以使得剩余的第二区域的上表面低于第一区域的上表面，其中，第一区域为隔离区被伪栅覆盖的部分，第二区域为隔离区位于伪栅两侧中的至少一侧的部分；外延源极和漏极；去除伪栅和伪栅下的电介质层，以形成沟槽；在沟槽中形成栅极结构。通过这样的方法，能够预先去除部分源极、漏极侧面的隔离层，使得栅极下方的隔离层高度与源极、漏极侧面的隔离层高度相当，克服了源极、漏极侧面的隔离层高度低于栅极下方的隔离层高度的问题，增加了有源区的体积，从而改善了器件的直流、交流电流性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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