[发明专利]一种大面积制备卤化甲胺铅光电薄膜的化学方法有效
| 申请号： | 201710358213.5 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107245689B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 雷岩;谷龙艳;张磊磊;郑直;杨晓刚;高远浩;铁伟伟 | 申请（专利权）人： | 许昌学院 |
| 主分类号： | C23C8/06 | 分类号： | C23C8/06 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 乔宇 |
| 地址： | 461000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种大面积制备卤化甲胺铅光电薄膜的化学方法。该方法为：将沉积有单质铅薄膜的基底与卤化甲胺在真空或负压条件下加热，使卤化甲胺蒸汽充满反应容器，在200℃～300℃条件下反应，反应时间小于等于50min，即可在基底材料表面原味制备出晶粒大、结晶性好、表面均匀的卤化甲胺铅半导体薄膜材料CH |
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| 搜索关键词： | 一种 大面积 制备 卤化 甲胺铅 光电 薄膜 化学 方法 | ||
【主权项】：
一种大面积制备卤化甲胺铅光电薄膜的化学方法，其特征在于：将沉积有单质铅薄膜的基底与卤化甲胺在真空或负压条件下加热，使卤化甲胺蒸汽充满反应容器，在200℃～300℃条件下反应，反应时间小于等于50min，即可在基底材料表面原味制备出晶粒大、结晶性好、表面均匀的卤化甲胺铅半导体薄膜材料CH3NH3PbX3，X＝Cl，Br，I或其中一种或两种的组合。
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