[发明专利]一种空化射流辅助掩膜电解加工阵列凹坑的方法在审
| 申请号： | 201710358459.2 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107116274A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 刘桂贤;黄榕;张永俊;杨逍潇;詹顺达 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | B23H3/00 | 分类号： | B23H3/00;B23H3/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 510062 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种空化射流辅助掩膜电解加工阵列凹坑的方法，包括在工件的阳极表面覆盖背面绝缘且正面为金属的具有通孔的掩膜板；对所述工件进行电解，在所述工件上与所述通孔对应的位置形成凹坑，并向所述通孔内喷射空化射流电解液，利用所述空化射流电解液溃灭形成的微型水射流排出所述凹坑中的电解产物。上述空化射流辅助掩膜电解加工阵列凹坑的方法，能够在加工阵列凹坑时，促进电解产物排出，实现钝化膜的均匀去除，提高阵列凹坑的加工精度与表面质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射流 辅助 电解 加工 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种空化射流辅助掩膜电解加工阵列凹坑的方法，其特征在于，包括：在工件的阳极表面覆盖背面绝缘且正面为金属的具有通孔的掩膜板；对所述工件进行电解，在所述工件上与所述通孔对应的位置形成凹坑，并向所述通孔内喷射空化射流电解液，利用所述空化射流电解液溃灭形成的微型水射流排出所述凹坑中的电解产物。
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