[发明专利]一种干法刻蚀方法在审
| 申请号： | 201710358532.6 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107123596A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 邹浩;丁振宇;刘志攀;陈幸 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种干法刻蚀方法，包括提供一干法刻蚀腔体；提供一半导体基底，半导体基底由下至上依次包括器件层、铜互联层、介电层以及图案化的掩膜层；主刻蚀的步骤，以图案化的掩膜层进行干法刻蚀，以去除部分介电层；过刻蚀的步骤，继续以图案化的掩膜层，配合碳氟聚合物和过量的氧气进行干法刻蚀，以暴露铜互联层；去除掩膜层。本发明的有益效果将原有的通过一次性干法刻蚀暴露铜互联层替换为通过两次干法刻蚀暴露铜互联层，由于在过刻蚀步骤中添加了相对于主刻蚀步骤中更多的过量的氧气，而氧气能够抑制碳氟聚合物与铜进行反应，从而避免碳氟聚合物与晶元的铜发生反应导致凹坑缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种干法刻蚀方法，包括：提供一干法刻蚀腔体；提供一半导体基底，半导体基底由下至上依次包括器件层、铜互联层、介电层以及图案化的掩膜层；其特征在于，干法刻蚀方法还包括：主刻蚀的步骤，以图案化的掩膜层进行干法刻蚀，以去除部分介电层；过刻蚀的步骤，继续以图案化的掩膜层，配合碳氟聚合物和过量的氧气进行干法刻蚀，以暴露铜互联层；去除掩膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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