[发明专利]一种高速VCSEL激光器外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710361697.9 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN107171181A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 单智发 | 申请（专利权）人： | 苏州全磊光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人： | 刘计成 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高速VCSEL激光器外延结构，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次采用MOCVD沉积GaAs缓冲层、N型掺杂的DBR、有源层、氧化限制层、P型掺杂的DBR和欧姆接触层，所述氧化限制层由多个Ga组分可自由调节的Al1‑xGaxAs外延层组成，其中X为Ga元素的组分。该激光器外延结构采用一定厚度的组分跳变的多层Al1‑xGaxAs形成氧化限制层，氧化限制层前端的形状可通过调节各层Al1‑xGaxAs的组分改变，可在氧化限制层前端形成lens结构，减小光子的散射损失，从而提高VCSEL的调制带宽。本发明还具有以下优点1）通过调节氧化限制层中Ga的比例，减小氧化限制层的氧化速率，使氧化易于控制，提高VCSEL芯片产品良率；2）本发明氧化限制层厚度大，本征寄生电容小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速 vcsel 激光器 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高速VCSEL激光器外延结构，包括GaAs衬底（01），在GaAs衬底（01）上依次采用MOCVD沉积GaAs 缓冲层（02）、N型掺杂的DBR（03）、有源层（04）、氧化限制层（05）、P型掺杂的DBR（06）和欧姆接触层（07），其特征在于：所述氧化限制层（05）由多个Ga组分可自由调节的Al1‑xGaxAs外延层组成，其中X为Ga元素的组分。
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