[发明专利]用于在取代金属栅极结构提供氮化物覆盖层的方法、设备及系统在审
| 申请号： | 201710362255.6 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN107425055A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | H·曹;C-C·常;K·奥尼西;S·斯里瓦他纳空 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于在取代金属栅极结构提供氮化物覆盖层的方法、设备及系统，其揭示一种半导体装置，包含半导体衬底；布置于该半导体衬底上面的至少一个栅极结构，其中该栅极结构包含以至少一个金属层部分填充的栅极结构凹穴；以及位在该至少一个金属层上面的该栅极结构凹穴中的紫外线(UV)固化高密度等离子体(HDP)氮化物覆盖层。还揭示可藉以形成该半导体装置的至少一种方法及至少一种系统。该UV固化HDP氮化物覆盖层可实质无空洞或接缝，而且结果是，该半导体装置可具有相对于所属技术领域已知的相当半导体装置较低的Vt位移。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 取代 金属 栅极 结构 提供 氮化物 覆盖层 方法 设备 系统 | ||
【主权项】：
一种方法，包含：提供半导体装置，其包含布置于半导体衬底上面的至少一个栅极结构，其中，该栅极结构包含以至少一个金属层部分填充的栅极结构凹穴；在该金属层上面的该栅极结构凹穴中沉积高密度等离子体(HDP)氮化物覆盖层；以及进行该氮化物覆盖层的紫外线(UV)固化。
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