[发明专利]外延生长装置及其生长外延层的方法有效
申请号: | 201710362271.5 | 申请日: | 2017-05-22 |
公开(公告)号: | CN108930061B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 雷鹏;柳鹏;姜开利;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | C30B25/18 | 分类号: | C30B25/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种外延生长装置,包括一腔体,一气体供应单元,一抽真空单元,一第一电极,一第二电极、以及一碳纳米管结构。所述腔体包括一反应腔,所述气体供应单元以及抽真空单元与所述反应腔连通。所述第一电极,第二电极,以及碳纳米管结构均设置在所述反应腔中,所述第一电极以及第二电极与一外部电源电连接。所述碳纳米管结构悬空设置于所述第一电极和第二电极,并与该第一电极和第二电极电连接。本发明还提供一种生长外延层的方法。 | ||
搜索关键词: | 外延 生长 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种外延生长装置,包括一腔体,一气体供应单元,一抽真空单元,所述腔体包括一反应腔,所述气体供应单元以及抽真空单元与所述反应腔连通,其特征在于,进一步包括一第一电极,一第二电极、以及一碳纳米管结构,所述第一电极,第二电极,以及碳纳米管结构均设置在所述反应腔中,所述第一电极以及第二电极与一外部电源电连接;所述碳纳米管结构悬空设置于所述第一电极和第二电极,并与该第一电极和第二电极电连接。
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